電晶體 動態
關於電晶體過去2年中的動態資訊。
- N溝道低導通電阻(20V產品): TPCC8093, TPCP8206
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20V產品是低導通電阻、N溝道MOSFET系列產品中的新成員，新產品中採用的第七代工藝流程，適用於移動電話的電源管理開關和鋰離子電池保護電路。 (2011年11月28日)
更多 » - 針對無線電力傳輸應用的分立元件: MOSFET / SBD
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我們已經開發了針對無線電力傳輸應用的分立元件。 (2011年10月31日)
更多 » - 用於電源管理的低導通電阻P溝道MOSFET: SSM6J414TU
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該產品採用最新的UMOS VI工藝，適用於數位家電和辦公自動化(OA)設備的移動裝置和負荷開關的充電及放電開關，它一般以2.1mm × 2.0mm × 0.7mm (UF6)的封裝進行安裝。該產品與我們目前通用的SSM6J409TU型號產品相比，其導通電阻特性有所提高。 (2011年10月31日)
更多 » - 用於同步整流的第八代溝道MOSFET系列產品: TK65A10N1, TK65E10N1, TK40E10N1, TK40A10N1
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這是我們開發出的次級電源同步整流MOSFET系列高效率產品，可用於各種不同的應用領域，例如筆記本電腦適配器、遊戲機、伺服器、臺式電腦及平板顯示器等。該系列產品採用了最新的第八代溝道MOSFET工藝，實現了高電源效率。 (2011年10月28日)
更多 » - 車載用TO-220SM(W)封裝的N溝道功率MOSFET: TK80F04K3L, TK80F06K3L, TK55F08K3L
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在現有的高電流產品陣容之後，我們已另外開發出三款中等額定電流的N溝道功率MOSFET產品。 (2011年10月19日)
更多 » - N溝道半功率: SSM3K335R
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我們推出了安裝在 SOT-23F 封裝上的4.5 V 驅動N溝道MOSFET。此款N溝道 MOSFET採用最新工藝, 適用於直流-直流轉換器，比現在流行的 SSM3K14T 具有更快的開關功能。 (2011年09月30日)
更多 » - 新型車用DPAK+ 封裝和功率MOSFET (N溝道/P溝道): TK, TJ系列
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我們開發出了新型的PW-Mold相容高電壓的DPAK+系列產品, 適用于車用泵體馬達驅動器。 (2011年09月26日)
更多 » - 300V系統π-MOS第VII代MOSFET: TK18A30D, TK50J30D
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我們為200 V和 250 V產品系列添加了新的 300 V系統第 VII 代功率 MOSFET系列產品，其主要適用於開關電源。 (2011年07月21日)
更多 » - 內置肖特基二極體的VII-H MOSBD系列低耐壓電源MOSFET UMOS: TPCA8A10-H
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我們已開發出一個具有內置肖特基二極體的電源 MOSFET 系列產品，它使用UMOS VII-H工藝， 適用於設備(例如手提電腦和數碼家電)的同步整流 DC-DC轉換器。 (2011年07月21日)
更多 » - 200V系統π-MOS第VII代MOSFET: TK9A20DA, TK15A20D, TK20A20D, TK25A20D, TK40J20D, TK70J20D
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我們已經推出了一個全新的200V 系統第VII代功率 MOSFET 系列產品，主要適用於開關電源。 (2011年06月28日)
更多 » - 內置肖特基二極體的UMOS VII-H MOSBD系列低耐壓電源 MOSFET: TPCA8A09-H, TPCA8A11-H
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我們已開發出一個具有內置肖特基二極體的電源 MOSFET，它使用 UMOS VII-H工藝， 適用於設備(例如手提電腦和數碼家電)的同步整流 DC-DC轉換器。 (2011年06月27日)
更多 » - 用於筆記本電腦的P-ch中功率 MOSFET: SSM3J331R
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我們的新產品SSM3J331R擴大了用於筆記本電腦的SOT-23種類P-ch MOSFET產品系列。 (2011年06月24日)
更多 » - 用於手機P-ch中功率MOSFET: SSM6J212/213/215FE
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我們在1.5V驅動 P-ch MOSFET產品系列中添加了 SSM6J215FE。使用小型 1.6mm x 1.6mm (SOT-563) 封裝的產品系列，我們可以滿足智慧手機和遊戲機的低壓工作和高密度封裝的要求。 (2011年06月24日)
更多 » - 低耐壓功率 MOSFET UMOS VII-H 系列: TPC8055/56/57/58/59-H
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我們已開發出功率 MOSFET，它使用 UMOS VII-H 工藝，適用於設備(例如手提電腦和數碼家電)的同步整流 DC-DC轉換器。 (2011年05月30日)
更多 » - 用於PFC的TO-3P(N)IS 封裝 IGBT(部分開關): GT40J121, GT40J325
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我們將開始批量生產GT40J121/GT40J325，即用於空調和其他應用的PFC (部分開關)用 IGBT。 (2011年03月29日)
更多 » - 低耐壓功率MOSFET UMOS VII-H 系列: TPCC8065/66/67-H, TPC8064/65/66/67-H, TPC8223/24-H
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使用UMOS VII-H工藝，我們已開發出一種功率MOSFET，其適用於例如手提電腦和數碼家電等設備的同步整流DC-DC轉換器上。 (2011年03月24日)
更多 » - 第7代250V系列 π-MOS MOSFET: TK8A25DA, TK8P25DA, TK13A25D, TK13P25D, TK20A25D, TK30J25D, TK60J25D
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公司最新推出了用於開關電源一次側的第7代200-300V系列功率MOSFET產品。 (2011年02月24日)
更多 » - 用於超高速切換的NPN雙極型電晶體: TPCP8511
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超高速切換的NPN雙極型電晶體，現在採用PS-8封裝。這個產品雖然功耗稍高，但封裝比Pw-Mini (SC-62) 和TSM (SC-59) 更小更薄。 (2011年02月07日)
更多 » - 適用於移動設備的P溝道半功率MOSFET: SSM3J133TU, SSM3J134TU, SSM3J135TU
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我們開發了用於移動設備的UFM封裝的三個P溝道半功率MOSFET。 由於提供了不同導通電阻類型的選擇，這些MOSFET能滿足客戶需求。 (2011年01月28日)
更多 » - AC-DC電源二次側同步整流用60v至100v的MOSFET: TK25E06K3, TK50E06K3A, TK50E08K3, TK60E08K3, TK18E10K3, TK40E10K3
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我們在60v-100v的MOSFET系列中增加了標準T0-220封裝的六個新型號，它們通過溝道技術的第四代工藝加工而成，在AC-DC電源的二次側同步整流電路中使用。 (2011年01月18日)
更多 » - 使用了小型2毫米LGA封裝的P溝道雙MOSFET，適用於移動設備充電器電路MOSFET: SSM6P47NU, SSM6P49NU
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我們採用新一代UDFN6 2毫米封裝工藝，開發出了P溝道MOSFET(2-in-1產品)。 這些產品適用於移動設備的充電器電路。 (2010年12月27日)
更多 » - N溝道中功率MOSFET: SSM3K333R
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我們已推出了我們的全新4.5V驅動產品SSM3K333R，主要適用於筆記本電腦和DSC。本MOSFET採用了最新的第七代N溝道工藝，使用的SOT-23F封裝具有良好的散熱性能，而且具有低導通電阻的特點。 本產品是SSM3K315T的最新一代產品。 (2010年12月27日)
更多 » - 用於照明應用、採用DPAK封裝的MOSFET
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DPAK封裝式中壓功率MOSFET常用于照明變頻應用。東芝引入π-MOS系列，以此擴大其產品陣容。 (2010年12月01日)
更多 » - 使用TSON-8封裝、用於串列連接的自動閃光燈控制IGBT: GT8G151
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我們將開始GT8G151(用於控制閃光燈的一種IGBT)的批量生產。該產品的電流額定值為150 A，這是TSON-8小型表貼封裝的最高水準。 (2010年11月22日)
更多 » - 用於手機、數碼照相機和遊戲機快速充電的中功率P-ch MOSFET
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我們已開發出採用下一代工藝的P-ch MOSFET陣列。 (2010年11月08日)
更多 » - 用於交流適配器和直流-直流轉換器的NPN雙極電晶體: TTC008, TTC012
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我們已開發出用於交流適配器和直流-直流轉換器的 NPN 雙極電晶體。產品線包括 TTC008(用於AC100 V電源)和TTC012(用於 AC200 V 電源)，它們的電流額定值高於我們用於相同用途的受到歡迎的產品，2SC6010(用於AC100 V電源)和 2SC6042(用於AC200 V電源)。 (2010年10月28日)
更多 » - 用於功率轉換的NPN雙極電晶體: TTC009
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我們已開發出TTC009(VCEO: 80 V; IC: 3 A; 封装是TO-220NIS) 作為功率轉換電晶體。該產品具有集電極-發射極飽和電壓低並且高速開關的特性，適合開關電路應用，例如直流/直流轉換器電路。 (2010年10月28日)
更多 » - 用於移動設備的Nch標準MOSFET: SSM3K37MFV, SSM3K37FS, SSM3K37CT, SSM6N37FU, SSM6N37FE, SSM6N37CTD
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對於移動設備的標準開關,我們已推出相對於SSM3K16系列的新一代系列產品的 SSM3K37。導通電阻低於現有產品。範圍廣泛的封裝產品線包含單個型和二合一型型以滿足客戶的各種需要。 (2010年10月28日)
更多 » - 針對中國手機應用的Pch + SBD MOSFET(UDFN6): SSM6G18NU
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我們已開發出新的2 mm LGA封裝(UDFN6)作為第一個型號，推出由低RON MOSFET和低VF肖特基勢壘二極體組成的合成器件。 (2010年10月28日)
更多 » - 最新一代N溝道低導通電阻MOSFET系列
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這是一個低導通電阻、N溝道MOSFET系列，採用第七代(最新)工藝製造，適用於移動電話電源管理開關以及鋰電池保護電路。這個系列有助於減小器件的尺寸和厚度，同時提高效率。 (2010年10月05日)
更多 » - 用於LED背光照明的雙極電晶體: TTC011, TTC013
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液晶電視的內置LED背光照明採用多級LED，所需電壓高達100-150 V左右，因此需要用高壓驅動零件進行驅動。為此，本公司在高壓雙極電晶體的陣容中添加了兩個適用於背光照明的新型號：TTC011和TTC013。TTC011是一款獨立型雙極電晶體，可安裝在散熱片上。TTC013是一款表貼型雙極電晶體，可用於縮小器件尺寸、提高密度。 (2010年10月05日)
更多 » - P溝道中功率MOSFET: SSM3J334R
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本公司新推出了一款筆記本電腦和DSC專用的新產品——SSM3J334R。這款是本公司熱門產品SSM3J14T的更新換代產品，適用於移動設備。通過高速開關使導通電阻和電容低於現有產品。如需使用P溝道中功率MOSFET，請考慮使用本產品。 (2010年09月30日)
更多 » - N溝道標準MOSFET: SSM3K15A, SSM6N15A系列
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本公司新推出了SSM3K15A系列。這個系列是本公司熱門產品SSM3K15系列的低導通電阻版本，適用於移動設備的標準開關。封裝種類繁多，分成單列封裝和雙列封裝兩大類，能夠滿足客戶的各種需求。 (2010年09月15日)
更多 » - 採用TFP封裝的U-MOS第四代N溝道功率MOSFET: TK70X04K3Z, TK80X04K3L
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我們已開發出採用TFP封裝的U-MOS第四代N溝道功率MOSFET。該產品適用於車載電機驅動器和開關調節器，也適用於EPS等大電流應用。 (2010年08月31日)
更多 » - 採用TO-220SIS或TO-3P(N)封裝的U-MOS第四代N溝道功率 MOSFET: TK50A04K3, TK70J04K3Z, TK70J06K3, TK75J04K3Z
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我們已開發出採用引腳型TO-220SIS或TO-3P(N)封裝的N溝道功率MOSFET。該產品適用於車載電機驅動器和開關調節器，也適用於EPS等大電流應用。 (2010年08月31日)
更多 » - 採用TO-220SM(W)封裝的U-MOS第四代N溝道功率MOSFET: TK100F04K3L, TK150F04K3L
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我們研發出了採用TO-220SM(W)封裝的U-MOS第四代N溝道功率MOSFET。該產品適用於車載電機驅動器以及開關調節器，也適用於EPS等大電流應用。 (2010年08月31日)
更多 » - 900V系列π-MOS第四代MOSFET: TK1Q90A、TK1P90A
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我們增設了一條全新的900V系統功率 MOSFET產品線。該MOSFET適用於充電器和照明系統，採用小型封裝，能安裝在第四代集成晶片上。 (2010年08月27日)
更多 » - 最新一代30V系統、低導通電阻、P溝道MOSFET系列：TPCC8105、TPCC8104, TPCA8128、TPCA8120
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這個低壓、低導通電阻、P溝道MOSFET系列採用最新一代的加工工藝，效率高，尺寸小，封裝薄，適用於筆記本電腦和移動電話的電源管理開關以及鋰電池保護電路。TPCC8105和TPCC8104採用TSON Advance封裝，TPCA8120和TPCA8128則採用SOP Advance封裝，上述產品均已推出。 (2010年07月14日)
更多 » - 功率MOSFET UMOS VI-H系列: TPC8061-H
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我們利用UMOS VI-H工藝成功開發了一款適用於筆記本電腦、數碼家用電器等設備同步整流DC-DC轉換的功率MOSFET。 (2010年07月14日)
更多 » - 50V耐壓、1A集電極電流的通用NPN雙極電晶體：TTC007
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這款50V耐壓、1A集電極電流的NPN電晶體是本公司電晶體的明星產品，這款產品目前採用TSM封裝。產品陣容還包括一款互補型PNP電晶體TTA007。 (2010年07月12日)
更多 » - IGBT用於串聯自動頻閃燈控制器的TSON-8 封裝型IGBT: GT5G133
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我們開始大批量生產GT5G133，這是一款用於控制頻閃燈的IGBT。GT5G133支援3V電源電壓，並可以通過2.5V柵極驅動電壓控制130A的電流。採用TSON-8封裝，這是一種小型表貼式封裝。TSON-8的安裝面積是傳統TSSOP-8封裝的52%，從而減少了線路板的占位面積。 (2010年07月12日)
更多 » - P溝道1.5V驅動中功率MOSFET: SSM3J327R, SSM3J328R
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已針對筆記本電腦、DSC(數碼相機)等可擕式設備推出了幾款採用SOT-23F新封裝的中功率產品。 (2010年07月12日)
更多 » - -50V耐壓、-1A集電極電流的通用PNP雙極電晶體: TTA007
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這款-50V耐壓、-1A集電極電流的PNP電晶體是本公司電晶體的明星產品，這款產品目前採用TSM封裝。產品陣容還包括一款互補型NPN電晶體TTC007。 (2010年07月12日)
更多 » - 最新一代的P溝道低導通電阻功率MOSFET: TPC6113
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針對手提電腦和移動設備的電源管理開關以及鋰電池保護電路，本公司新推出了一款低壓、低導通電阻P溝道MOSFET產品，採用最新一代的工藝，在提高高效的同時減小尺寸和厚度。 (2010年07月12日)
更多 » - 用於放大車用低頻功率的PNP雙極電晶體: TTB001, TTB002
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我們開發了一種絕對最高結溫為175°C的車用雙極晶體(參見AEC Q-101)。車用ECU以及一些其他裝置均包含雙極電晶體，用於脈動抑制吊線。有兩個產品系列的絕對最高結溫均為175°C，能夠滿足車上環境的嚴格要求。 (2010年07月12日)
更多 » - 互補型MOSFET：TPCP8405、TPCP8406
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N溝道和P溝道MOSFET封裝在小型PS-8封裝中，適用於橋接電路配置中的小功率電機驅動器或變頻器。 (2010年06月15日)
更多 » - 照明專用的MOSFET D-PAK系列
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π-MOS VII系列加入了一種新型封裝(D-PAK)，包含用於高速開關的MOSFET，其強大的產品陣容能夠幫助用戶實現設計最優化。 (2010年06月10日)
更多 » - 鋰電池保護電路專用的N溝道MOSFET: SSM3K329R
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筆記本電腦專用的電池組具有內置式保護電路，用於檢測異常情況並在其造成更嚴重的影響之前切斷安裝的保險絲。我們推出了一款N溝道中功率MOSFET，可在這種情況下切斷保險絲。 (2010年06月10日)
更多 » - 第4代N溝道低導通電阻MOSFET系列：TPC6012、TPCF8003、TPCC8007
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為滿足提高筆記本電腦和可擕式設備運行效率的需求，本公司還推出了功率MOSFET N溝道U-MOS IV系列。與現有的U-MOS III系列相比，這個系列產品的導通電阻降低了25% 。 (2010年05月12日)
更多 » - 最新一代的P溝道低導通電阻MOSFET系列：TPCF8105、TPCP8305、TPC8126、TPC8127、TPC8128
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針對電源管理開關以及筆記本電腦和手機專用的鋰電池組保護電路，本公司新推出了一系列低壓、低導通電阻P溝道MOSFET產品，採用最新一代的工藝，在實現高效的同時減小尺寸和厚度。 (2010年05月11日)
更多 » - 功率MOSFET MOSBD系列：TPC8A07-H
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隨著CPU內置在資訊通信設備中，和通信基站以及圖像處理IC的工作電壓日益降低，而工作電流日益升高，用於驅動這些CPU和IC的DC-DC轉換必須提高效率、減小體積。在這款新開發的產品中，MOSFET(用作同步整流DC-DC轉換的低邊開關)和SBD集中在同一塊晶片上，因此無需使用外接SBD。MOSFET與SBD之間的引線電感隨之降低，從而減小死區時間的功耗和噪音。 (2010年04月12日)
更多 » - 中功率P溝道MOSFET：SSM6J212FE
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針對尺寸縮減要求較高的可擕式設備，我們推出了1616尺寸(SOT-563)的中功率MOSFET SSM6J212FE。 (2010年03月30日)
更多 » - 通用型N溝道MOSFET開關：SSM3K37MFV、SSM6N37FE
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東芝推出了低導通電阻型1in1(SSM3K37MFV)和2in1(SSM6N37FE)N溝道MOSFET開關，用於替代手機應用中最常用的MOSFET開關SSM3K16FV和SSM6N16FE。 (2010年03月25日)
更多 » - 2毫米x 2毫米LGA 封裝(UDFN6)：推出小信號MOSFET產品
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採用2毫米× 2毫米LGA封裝的小信號MOSFET通常用作手機和智慧手機的開關。 (2010年03月25日)
更多 » - 中功率P溝道MOSFET：SSM3J325F
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東芝公司推出了採用新工藝製造、SOT-346封裝2.9×2.5×1.1 mm大小的低導通電阻P溝道MOSFET設備.這種新器件適用於筆記本電腦的電源管理開關. (2010年03月11日)
更多 » - 用於應用靜噪的N溝道MOSFET：SSM6N42FE
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東芝公司目前推出了比以往產品具有更低導通電阻的MOSFET.除了具有以往產品的常規用途，SSM6N42FE還可用於手機靜噪. (2010年03月11日)
更多 » - 最新一代低導通電阻P溝道功率MOSFET：TPC6110和TPC8124
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東芝公司在新一代工藝的基礎上開發出低導通電阻的P溝道MOSFET. (2010年03月10日)
更多 » - 中功率P溝道MOSFET：SSM3J327F
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東芝開發了一款最大電阻為125 mΩ @ V_GS = -2.5 V的P溝道功率切換器件——SSM3J327F，這款產品採用3平方毫米左右的通用型SOT-346(S-Mini)封裝. (2010年02月08日)
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