用於電源管理的低導通電阻P溝道MOSFET: SSM6J414TU
該產品採用最新的UMOS VI工藝，適用於數位家電和辦公自動化(OA)設備的移動裝置和負荷開關的充電及放電開關，它一般以2.1mm × 2.0mm × 0.7mm (UF6)的封裝進行安裝。該產品與我們目前通用的SSM6J409TU型號產品相比，其導通電阻特性有所提高。
特徵
- 低導通電阻和小型UF6封裝
| 零件型號 | VDSS (V) |
VGSS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) 最大值 (mΩ) | Ciss (pF) |
封裝 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS= -1.5 V |
VGS= -1.8 V |
VGS= -2.5 V |
VGS= -4.5 V |
||||||
| SSM6J414TU (*1) | -20 | ±8 | -6.0 | 54 | 36 | 26 | 22.5 | 1700 | UF6 |
| SSM6J409TU | -20 | ±8 | -9.5 | 72.3 | 46.2 | 30.2 | 22.1 | 1100 | UF6 |
- *1: 新產品
- 導通電阻特性
應用
- 電源管理開關
輪廓圖
電路實例
- 移動電話的充電開關/電池FET
- 所推薦的產品特性
-
零件型號 極性 VDSS
(V)VGSS
(V)ID
(A)RDS(ON) 最大值 (mΩ) Ciss
(pF)封裝
尺寸|VGS|=
1.5 V|VGS|=
1.8 V|VGS|=
2.5 V|VGS|=
4.5 VSSM3K36MFV Nch 20 ±10 0.5 1520 1140 850 660 46 1.2mm×1.2mm SSM6J213FE Pch -20 ±8 -2.6 250 178 133 103 290 1.6mm×1.6mm SSM3J135TU Pch -20 ±8 -3.0 260 180 132 103 270 2.1mm×2.0mm
零件型號 功能 VR
(V)IO
(A)VF(典型值) (V) IR(最大值) (μA) 封裝
尺寸IF=10mA IF=100mA IF=500mA VR=30V CBS05F30 SBD 30 0.5 0.23 0.31 0.38 50 1.2mm×0.8mm