東芝半導體與存儲器社
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針對無線電力傳輸應用的分立元件: MOSFET / SBD

無線電力傳輸的實際應用已經開始。無線電力傳輸應用需要低導通電阻和低VF熱抑制產品,我們已經對我們的產品陣容添加了低VF型雙SBD(肖特基二極體)和2毫米封裝、已達到行業最高性能的雙N溝道MOSFET。(*)
東芝公司具有廣泛的產品規格和封裝陣容,可以向客戶提供最佳的個別分離性產品。

*: 截至2011年10月

針對無線電力傳輸應用的分立元件封裝照片: MOSFET / SBD.

特徵

應用

電路實例

針對無線電力傳輸應用的分立元件電路實例說明圖: MOSFET / SBD.

陣容

針對無線電力傳輸應用的分立元件產品陣容: MOSFET
極性 零件型號 VDSS
(V)
VGSS
(V)
ID
(A)
RDS(ON) 最大值 (mΩ) 封裝
|VGS|=
2.5 V
|VGS|=
4.5 V
|VGS|=
10 V
Pch 1in1 SSM3J328R -20 ±8 -6 39.7 29.8 - SOT-23F
(2.8×2.9×0.8mm)
SSM6J501NU -20 ±8 -10 19 15.3 - UDFN6B
(2.0×2.0×0.75mm)
SSM6J502NU -20 ±8 -6 28.3 23.1 - UDFN6B
(2.0×2.0×0.75mm)
SSM3J332R -30 ±12 -6 72 50 42 SOT-23F
(2.8×2.9×0.8mm)
SSM3J334R -30 ±20 -4 - 105 71 SOT-23F
(2.8×2.9×0.8mm)
2in1 SSM6P49NU -20 ±12 -4 76 56 45 UDFN6
(2.0×2.0×0.75mm)
Nch 1in1 SSM3K333R 30 ±20 6 - 42 28 SOT-23F
(2.8×2.9×0.8mm)
2in1 SSM6N55NU 30 ±20 4 - 64 46 UDFN6
(2.0×2.0×0.75mm)

針對無線電力傳輸應用的分立元件產品陣容: SBD
類型 零件型號 VR
(V)
IO
(A)
VF @IO
(V)
IR @VR=30V
(μA)
封裝
1in1 CES521 30 0.2 0.5 (最大值) 30 ESC (SOD-523)
(1.6×0.8×0.6mm)
CBS05F30 0.5 0.45 (最大值) 50 CST2B
(1.2×0.8×0.38mm)
CUS08F30 0.8 0.45 (最大值) 50 USC (SOD-323)
(2.5×1.25×0.9mm)
CUS10F30 1 0.5 (最大值) 50 USC (SOD-323)
(2.5×1.25×0.9mm)
2in1 CVJ10F30 1 0.57 (最大值) 50 UFV
(2.0×2.1×0.7mm)

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