功率MOSFET UMOS VI-H系列: TPC8061-H
我們利用UMOS VI-H工藝成功開發了一款適用於筆記本電腦、數碼家用電器等設備同步整流DC-DC轉換的功率MOSFET。

特徵
- 此產品採用第6代低壓溝槽結構,具有導通電阻低以及高速開關的特點。
- 內部柵極電阻低,柵極容量比(Cgd/Cgs)小,有助於避免自導通現象。
應用
- DC-DC轉換
輪廓圖

主要規格
| 零件型號 | 絕對最大額定值 | RDS(ON)(MAX) (mΩ) | Ciss (pF) |
Crss (pF) |
Qg (nC) |
工藝 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) |
VGSS (V) |
ID (A) |
PD (W) |
VGS= 10V |
VGS= 4.5V |
|||||
| TPC8061-H (*1) | 30 | ±20 | 8 | 1.9 | 26 | 29 | 630 | 46 | 6.2 | UMOS VI-H |
| TPC8021-H (*2) | 30 | ±20 | 11 | 1.9 | 17 | 25 | 640 | 75 | 6.3 | UMOS III-H |
- *1: 新產品
- *2: 原有產品





