50V耐壓、1A集電極電流的通用NPN雙極電晶體:TTC007
這款50V耐壓、1A集電極電流的NPN電晶體是本公司電晶體的明星產品,這款產品目前採用TSM封裝。產品陣容還包括一款互補型PNP電晶體TTA007。

特徵
- 直流放大係數大: hFE= 400至 1000 (VCE(sat)= 2 V, IC= 0.1 A)
- 集電極-發射極飽和電壓大: VCE(sat)= 0.12 V(最大值) (IC= 0.3 A, IB= 6 mA)
- 高速開關: tf= 85 ns(典型值) (IC= 0.3 A, IB=±10 mA)
應用
- 高速開關
- 直流-直流轉換器
輪廓圖

電路示例

主要規格
| 零件型號 | 絕對最大額定值 | 封裝 | ||
|---|---|---|---|---|
| VCEO (V) | IC (A) | PC (W) | ||
| TTC007 | 50 | 1 | 0.7 | TSM |
- 相關鏈結
-
- 其他動態
-
- N溝道低導通電阻(20V產品): TPCC8093, TPCP8206(2011年11月28日)
- 針對無線電力傳輸應用的分立元件: MOSFET / SBD(2011年10月31日)
- 用於電源管理的低導通電阻P溝道MOSFET: SSM6J414TU(2011年10月31日)
- 用於同步整流的第八代溝道MOSFET系列產品: TK65A10N1, TK65E10N1, TK40E10N1, TK40A10N1(2011年10月28日)
- 車載用TO-220SM(W)封裝的N溝道功率MOSFET: TK80F04K3L, TK80F06K3L, TK55F08K3L(2011年10月19日)
- N溝道半功率: SSM3K335R(2011年09月30日)
- 新型車用DPAK+ 封裝和功率MOSFET (N溝道/P溝道): TK, TJ系列(2011年09月26日)
- 300V系統π-MOS第VII代MOSFET: TK18A30D, TK50J30D(2011年07月21日)
- 內置肖特基二極體的VII-H MOSBD系列低耐壓電源MOSFET UMOS: TPCA8A10-H(2011年07月21日)
- 200V系統π-MOS第VII代MOSFET: TK9A20DA, TK15A20D, TK20A20D, TK25A20D, TK40J20D, TK70J20D(2011年06月28日)
- 內置肖特基二極體的UMOS VII-H MOSBD系列低耐壓電源 MOSFET: TPCA8A09-H, TPCA8A11-H(2011年06月27日)
- 用於筆記本電腦的P-ch中功率 MOSFET: SSM3J331R(2011年06月24日)
- 用於手機P-ch中功率MOSFET: SSM6J212/213/215FE(2011年06月24日)
- 低耐壓功率 MOSFET UMOS VII-H 系列: TPC8055/56/57/58/59-H(2011年05月30日)
- 用於PFC的TO-3P(N)IS 封裝 IGBT(部分開關): GT40J121, GT40J325(2011年03月29日)
- 低耐壓功率MOSFET UMOS VII-H 系列: TPCC8065/66/67-H, TPC8064/65/66/67-H, TPC8223/24-H(2011年03月24日)
- 第7代250V系列 π-MOS MOSFET: TK8A25DA, TK8P25DA, TK13A25D, TK13P25D, TK20A25D, TK30J25D, TK60J25D(2011年02月24日)
- 用於超高速切換的NPN雙極型電晶體: TPCP8511(2011年02月07日)





