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最新一代的P溝道低導通電阻功率MOSFET: TPC6113

針對手提電腦和移動設備的電源管理開關以及鋰電池保護電路，本公司新推出了一款低壓、低導通電阻P溝道MOSFET產品，採用最新一代的工藝，在提高高效的同時減小尺寸和厚度。

最新一代的P溝道低導通電阻功率MOSFET產品照片: TPC6113.

特徵

採用低壓溝槽結構以及第6代工藝技術，實現低導通電阻。
雪崩電阻大。
採用緊湊型VS-6（SOT6）封裝，是減小可擕式設備體積和厚度的理想選擇
通過採用先進的高散熱封裝，同時實現大電流和較高的耗散功率。

應用

手提電腦、移動電話、DSC、DVC、遊戲機等可擕式設備

輪廓圖

最新一代的P溝道低導通電阻功率MOSFET輪廓說明圖: TPC6113.

電路示例

TPC6113電路示例

陣容

低導通電阻MOSFET的陣容
零件型號	電路結構	絕對最大額定值			R_DS(ON)最大值(mΩ)					產品系列
零件型號	電路結構	V_DSS (V)	I_D (A)	V_GSS (V)	V_GS= 10V	V_GS= 4.5V	V_GS= 2.5V	V_GS= 2V	V_GS= 1.8V	產品系列
TPC6012	單N溝道	20	6	±12	-	20	38	-	-	U-MOSIV
TPC6011	單N溝道	30	6	±20	20	32	-	-	-	U-MOSIV
TPC6107 ^(*1)	單P溝道	-20	-4.5	±12	-	55	100	180	-	U-MOSIV
TPC6113^(*2)		-20	-5	±12	-	55	85	-	-	U-MOSVI
TPC6111		-20	-5.5	±8	-	40	57	-	80	U-MOSV
TPC6110		-30	-4.5	-25/+20	56	77	-	-	-	U-MOSVI

^*1: 上一代產品
^*2: 新產品