功率MOSFET MOSBD系列：TPC8A07-H
隨著CPU內置在資訊通信設備中，和通信基站以及圖像處理IC的工作電壓日益降低，而工作電流日益升高，用於驅動這些CPU和IC的DC-DC轉換必須提高效率、減小體積。在這款新開發的產品中，MOSFET(用作同步整流DC-DC轉換的低邊開關)和SBD集中在同一塊晶片上，因此無需使用外接SBD。MOSFET與SBD之間的引線電感隨之降低，從而減小死區時間的功耗和噪音。
特徵
- 緊湊
高邊MOSFET和低邊MOSBD特點的單個封裝(帶有嵌入式SBD的MOSFET) - 效率高
· MOSFET採用高速U-MOS V-H工藝。
· MOSFET和SBD安裝在同一個單片上，引線電感因此降低，相比使用外接SBD的功率耗損量會降低更多。
- 噪音(峰值電壓)降低
由於採用的是嵌入式SBD，因此可降低高邊MOSFET打開時在低邊MOSFET的D與S之間生成的峰值電壓。
應用實例
- 本產品適用於輸出電流在3-4 A範圍內的同步整流DC-DC轉換。
(電路實例)
輪廓圖和接線圖
- 輪廓圖
- 接線圖
主要技術要求
| 零件型號 | 絕對最大額定值 | RDS(ON) (mΩ) @VGS=4.5V |
Crss (pF) | Ciss (pF) | 封裝 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) | ID (A) | 典型值 | 最大值 | 典型值 | 典型值 | |||
| TPC8A07-H | Q1 | 30 | 6.8 | 21 | 28 | 54 | 830 | SOP-8 |
| Q2 | 30 | 8.5 | 14 | 19 | 50 | 1110 | ||