中等電流電晶體,特點在於較小的2021尺寸的封裝
概況
東芝已發佈了一系列的中等電流電晶體,特點在於2021尺寸的UFM封裝。新型電晶體置於較小的表面貼裝型封裝內,而不是傳統的帶引腳的封裝,其減少了系統的尺寸,具有較廣泛的應用,範圍從可擕式到工業系統。
這些電晶體最適合轉換設備和DC-DC轉換器。

特徵
- 產品型號:
2SA2214 / 2SA2215 / 2SA2195 / 2SC6100 / 2SC6133 / 2SC6134 / 2SC6135 (共7種) - 特點:
- 小、薄型封裝: 3-引腳封裝 (封裝尺寸: 2.0mm × 2.1mm × 0.7mm)
- 高功率消耗: 對於2021尺寸的封裝,PD = 500 mW for 2021-size package
(FR4 PCB; 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm)
應用示例
最適用於高速轉換設備和DC-DC轉換器。
封裝詳情

產品陣容
| 部件型號 | 特徵 |
|---|---|
| 2SC6100 | 等效於 2SC5692 NPN 電晶體 (50V / 2.5A) |
| 2SA2195 | 等效於 2SA2056 PNP 電晶體 (-50V / -1.7A) |
| 2SA2215 | 等效於2SA2061 PNP 電晶體 (-20V / -2.5A) |
| 2SA2214 | 等效於 2SA2065 PNP 電晶體 (-20V / -1.5A) |
| 2SC6135 | 等效於 NPN 電晶體 (50V / 1A) |
| 2SC6134 | 等效於2SC5976 NPN 電晶體 (30V / 3A) |
| 2SC6133 | 等效於 2SC5784 NPN 電晶體 (20V / 1.5A) |
- 相關鏈結
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- 其他動態
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- N溝道低導通電阻(20V產品): TPCC8093, TPCP8206(2011年11月28日)
- 針對無線電力傳輸應用的分立元件: MOSFET / SBD(2011年10月31日)
- 用於電源管理的低導通電阻P溝道MOSFET: SSM6J414TU(2011年10月31日)
- 用於同步整流的第八代溝道MOSFET系列產品: TK65A10N1, TK65E10N1, TK40E10N1, TK40A10N1(2011年10月28日)
- 車載用TO-220SM(W)封裝的N溝道功率MOSFET: TK80F04K3L, TK80F06K3L, TK55F08K3L(2011年10月19日)
- N溝道半功率: SSM3K335R(2011年09月30日)
- 新型車用DPAK+ 封裝和功率MOSFET (N溝道/P溝道): TK, TJ系列(2011年09月26日)
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- 內置肖特基二極體的VII-H MOSBD系列低耐壓電源MOSFET UMOS: TPCA8A10-H(2011年07月21日)
- 200V系統π-MOS第VII代MOSFET: TK9A20DA, TK15A20D, TK20A20D, TK25A20D, TK40J20D, TK70J20D(2011年06月28日)
- 內置肖特基二極體的UMOS VII-H MOSBD系列低耐壓電源 MOSFET: TPCA8A09-H, TPCA8A11-H(2011年06月27日)
- 用於筆記本電腦的P-ch中功率 MOSFET: SSM3J331R(2011年06月24日)
- 用於手機P-ch中功率MOSFET: SSM6J212/213/215FE(2011年06月24日)
- 低耐壓功率 MOSFET UMOS VII-H 系列: TPC8055/56/57/58/59-H(2011年05月30日)
- 用於PFC的TO-3P(N)IS 封裝 IGBT(部分開關): GT40J121, GT40J325(2011年03月29日)
- 低耐壓功率MOSFET UMOS VII-H 系列: TPCC8065/66/67-H, TPC8064/65/66/67-H, TPC8223/24-H(2011年03月24日)
- 第7代250V系列 π-MOS MOSFET: TK8A25DA, TK8P25DA, TK13A25D, TK13P25D, TK20A25D, TK30J25D, TK60J25D(2011年02月24日)
- 用於超高速切換的NPN雙極型電晶體: TPCP8511(2011年02月07日)





