電晶體 產品介紹
東芝已擁有完善的電晶體系列產品，範圍從通用小信號電晶體到主要用於功率放大的功率電晶體。同時也提供較寬範圍的用於高精度和高密度電子器件的表面貼裝型電晶體。
MOSFET
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應電晶體的簡稱。通常，它有3級:G：柵極，D:漏極和S:源極。通過對G提供電壓實現D和S之間的打開和關閉。較之雙極型，MOS具有更高速度運行和低損耗的特點。
- MOSFET
- 東芝公司提供範圍廣泛的MOSFET從低VDS MOSFET到高VDS MOSFET。
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- 連接FET(單/雙)
電晶體:雙極型
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- 雙極型小信號功率電晶體
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- 內置偏壓電阻型電晶體(BRT)
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IGBT
IGBT是絕緣柵雙極型電晶體的縮寫。它是一個輸入部分採用MOS結構輸出部分為雙極型的功率電晶體。適合於高電壓和高電流，它可以在低驅動下實現高功率。它的應用包括了感應加熱烹飪設備。
不同類型器件的組合產品
這些器件包括了不同類型獨立封裝的產品，如雙極型電晶體和MOSFET或者是電晶體和二極體。舉個例子，一些負荷開關使用帶低導通電阻的MOSFET為主開關，用雙極型電晶體作為其驅動。
- Combination Products of Different Type Devices (MOSFET + SBD)
- Combination Products of Different Type Devices(Bipolar Transitor/MOSFET/Diode)
功率電晶體模組
功率電晶體模組由3個或更多獨立封裝的功率電晶體晶片組成。它主要用在要求晶片具有同等特性的電路裏，比如馬達驅動。符合條件的產品有雙極性電晶體，MOSFET等。