電晶體
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新產品資訊
中功率P溝道MOSFET：SSM3J327F
東芝開發了一款最大電阻為125 mΩ @ V_GS = -2.5 V的P溝道功率切換器件——SSM3J327F，這款產品採用3平方毫米左右的通用型SOT-346(S-Mini)封裝. (2010年02月08日)
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MOSFET-SBD組合電池組：SSM5H14F
SSM5H14F是一種複合器件，它把用於熔斷保險絲的N溝道金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)和用於反向電流保護的肖特基勢壘二極體(SBD)合成在單一封裝中。 (2010年01月21日)
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檔案
- DC-DC轉換高速開關專用100/150-V Power Trench MOSFET(專門設計用於汽車)：TK40X10J1、TK50X15J1、TK50F15J1 (2009年11月06日)
- 功率MOSFET超級接點DTMOS系列 (2009年09月03日)
- 用於軟開關的分立式IGBT：GT60M324 (2009年08月28日)
文檔
- 發表資料
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- 功率MOSFET： 低電壓＆低阻抗系列 (PDF:494KB) 2007年02月
- 電晶體 產品一覽表
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- 產品綜合樣本 (電晶體) (PDF:1210KB) 2009年08月
- 產品目錄
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- 分立IGBT (PDF:643KB) 2010年03月
- MOSFETs (PDF:1618KB) 2009年09月
- 通用小信號表面貼裝器件 (PDF:5396KB) 2008年03月
* Errata (PDF:99KB)