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用於電視調諧器的低雜訊、輕度失真放大器: MT3S111/P/TU

東芝針對LNA開發了射頻電晶體,用於地面式數碼AM和FM調諧器的第一段,需要滿足低噪音和輕度失真的要求。

MT3S111/P/TU是採用SiGe工藝製造,雜訊指數低,僅為0.6dB(@30mA)同時,通過工藝最優化,MT3S111/P/TU的失真度也比傳統裝置低(OIP3= 32dBmW(@30mA)。

為了彌補射頻裝置的弱點,MT3S111/P/TU採用了一個ESD保護電路,因此,用於機器模型(MM)時,其ESD額定值至少100V,用於人體模型(HBM)時,其ESD額定值至少2000V。

特徵

應用

電視、AM和FM應用的LNA(調諧器、天線、分流器)

封裝詳情

這些裝置封裝在三種外殼中。
這些裝置的熱性能優良,可在調諧器的標準電壓和電流電平(5V/30mA)下向MT3S111/P/TU供電。
Pw-Mini: 1W, UFM-Mini, S-Mini: 0.7W (Note1)

封裝詳情說明圖

主要特性

MT3S111/P/TU主要特性表
  外殼 絕對最大額定值
電氣特性
VCEO
(V)
IC
(mA)
PC
(W)
(Note2)
fT
(GHz)
OIP3
(dBmW)
|S21e|2
(dB)
NF
(dB)
試驗條件
MT3S111P PW-Mini
(4.6×4.2×1.6mm)
6 100 1 8 32 16 0.7 VCE= 5V, IC= 30mA, f= 500MHz
10.5 0.95 VCE= 5V, IC= 30mA, f= 1GHz
MT3S111TU UFM
(2.0×2.1×0.7mm)
6 100 0.7 10 32 18 0.6 VCE= 5 V, IC= 30mA, f= 500MHz
12.5 0.85 VCE= 5V, IC= 30mA, f= 1GHz
MT3S111 S-Mini
(2.9×2.5×1.1mm)
6 100 0.7 11.5 32 17.5 0.65 VCE= 5V, IC= 30mA, f= 500MHz
12 0.9 VCE= 5V, IC= 30mA, f= 1GHz

特性曲線

特性曲線圖

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