射頻器件 產品介紹
東芝射頻器件擁有從小信號二極體到電力增幅用功率放大器模組的範圍廣泛的產品系列。對應於電子設備的小型化、高性能化的表面貼裝產品系列也非常豐富。
產品應用
射頻MOSFET
東芝射頻用MOSFET是指門極端子(G)為2根雙門極型的產品。在門極1(G1)輸入高頻信號，在其他門極2(G2)外加增益控制用電壓VG2加以控制。
射頻功率MOSFET
開發用於VHF以及UHF電視廣播設備的信號發送電力增幅用、800MHz手機信號發送電力增幅用。具有高增益、高效的特徵。
按參數查詢射頻功率MOSFET產品列表
射頻小信號FET
射頻雙極型電晶體
- 射頻雙極型電晶體
- 複合射頻雙極型電晶體
- 同一封裝內搭載不同特性的2個電晶體。
一個用於VCO，另一個用於緩衝。 - SiGe HBT(鍺矽異質結雙極電晶體)
- 通過將雙極型電晶體的基極做成SiGe化合物，從而提高射頻特性。
- 射頻雙極型功率電晶體
- 擁有HF波段到VHF、UHF波段的高功率電晶體。適用于射頻高功率放大器和增壓器。
按參數查詢射頻雙極型電晶體產品列表
射頻二極體
變容二極體
指根據陽極、陰極之間外加的反向偏置電壓的值，容量值可以發生變化的二極體。也被稱作VCD(Variable Capacitance Diode)或VariCap。主要作為電子同步用用於射頻調諧器整合電路等。
按參數查詢變容二極體產品列表
射頻開關二極體
由於PN接合容量非常小，因此被用於射頻信號的開關。這種二極體最適合TV調諧器的UHF/VHF波段的波段區域切換等。
按參數查詢射頻開關二極體產品列表
射頻用肖特基勢壘二極體
- 混頻器用肖特基勢壘二極體
- 使用金屬和半導體接觸形成的整流性、來替代PN接合的二極體。以多數載子工作。正向電壓較小，反向恢復時間較短，因此適合射頻信號的混頻電路。
小信號MMIC(射頻單元封裝)
指小型表面貼裝封裝內內置、集成放大器、混頻器等移動體通訊所必需的電路的射頻IC。由於外置部件少，因此可以實現低耗電、小型化、設計的簡易化。
按參數查詢小信號MMIC (射頻單元封裝)產品列表