東芝半導體與存儲器社
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光電半導體 動態

關於光電半導體過去2年中的動態資訊。

DIP4加強絕緣光控繼電器TLP220系列: TLP220A, TLP220D, TLP220G, TLP220GA, TLP220J

DIP4加強絕緣光控繼電器 TLP220系列封裝照片.

TLP220系統的產品具有加強絕緣性能,使用雙模DIP4,能確保輸入端和輸出端的絕緣電壓為5,000 Vrms (AC, 1分鐘). (2011年11月17日)
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IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器: TLP155

IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器產品照片: TLP155.

TLP155是SO6 封裝的IC耦合器,可以直接驅動小容量IGBT或功率MOSFET。 該產品比TLP155E具有更高的輸入-輸出雜訊電阻,可保證2020 kV/μs(最小值) 的共模瞬變抑制。 (2011年09月29日)
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低電流驅動5 Mbps邏輯IC耦合器: TLP2355, TLP2358

低電流驅動 5 Mbps邏輯IC耦合器產品照片: TLP2355, TLP2358.

東芝推出了TLP2355 和TLP2358 產品, 它們是小型SO6封裝5Mbps 的高速IC 耦合器。 (2011年09月27日)
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超小型且超低電容的光控繼電器: TLP3340

TLP3340的封裝規格比TLP3240的更小, 而且還擁有與TLP3240相同的電氣特性。借助於這些功能,TLP3340 可使安裝於半導體測試設備上的繼電器實現更高的封裝密度,從而有助於縮短測量TAT,並減少測試設備所需的空間。 (2011年08月29日)
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高電流光控繼電器: TLP355x系列

高電流光控繼電器封裝照片: TLP355x系列.

我們開發了 TLP3553、TLP3554、TLP3555以及TLP3556,讓用戶考慮在更廣闊的場合使用光控繼電器。 (2011年08月29日)
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IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器: TLP700A

IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器封裝照片: TLP700A. (2011年08月22日)
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具有高達125攝氏度高溫操作保證的IPM(智慧功率模組)驅動IC光電耦合器: TLP714

具有高達125攝氏度高溫操作保證的IPM(智慧功率模組)驅動IC光電耦合器封裝照片: TLP714.

東芝新推出一系列採用SDIP6封裝的IPM驅動IC光電耦合器,這款產品的工作溫度範圍較之前的型號TLP759 (IGM; Topr: 高達100deg C)更大: Topr = -40deg C至125deg C. (2011年08月11日)
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高電流小型光控繼電器: TLP354x系列

高電流小型光控繼電器封裝照片: TLP354x系列.

我們開發了TLP3543, TLP3544, TLP3545, 和 TLP3546,讓用戶考慮在更廣闊的場合使用光控繼電器。 (2011年06月29日)
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保證在110度條件下運行的 3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器: TLP2309

保證在 110 度條件下運行的 3.3V/5V 驅動高速邏輯 IC 耦合器產品照片: TLP2309.

我們的產品線中多了一種TLP 2309,這是一種採用小型SO6封裝的1Mbps 邏輯IC耦合器,能確保工作溫度高達-40°C至110°C。 (2011年05月31日)
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能確保在125度的溫度下進行操作,3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器: TLP2362

能確保在125度的溫度下進行操作,3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器產品照片: TLP2362.

TLP2362 IC耦合器支援3.3 V和5V的光接收 IC電源,從而使該設備能在一定的溫度範圍內(40°C至125°C)工作,並能採用SO6 封裝。 (2011年05月31日)
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IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器: TLP705A

IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器產品照片: TLP705A.

TLP705A是一款SDIP6封裝IC耦合器,能夠直接驅動一個小容量IGBT或功率MOSFET。 (2011年05月12日)
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保證在125度條件下運行的3.3V/5V驅動高速邏輯 IC耦合器: TLP2766

保證在125度條件下運行的 3.3V/5V驅動高速邏輯 IC耦合器產品照片: TLP2766.

我們在我們的產品陣容中增加了一款新的光耦合器,其能在低於5V的輸出電源電壓且2.7V以上的電壓下運轉。 (2011年04月22日)
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保證在125度條件下運行的 3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器: TLP2366

保證在 125 度條件下運行的 3.3V/5V 驅動高速邏輯 IC 耦合器產品照片: TLP2366.

我們在我們的產品陣容中增加了一款新的光耦合器,其能在低於5V的輸出電源電壓且2.7V以上的電壓下運轉。 (2011年04月22日)
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具有高溫操作保證的IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器: TLP350H

具有高溫操作保證的IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器產品照片: TLP350H.

TLP350H是一款採用DIP8封裝的IC耦合器,能夠直接驅動一個中小容量IGBT或功率MOSFET。 (2011年04月22日)
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保证在125度条件下运行的3.3V/5V驱动高速逻辑IC耦合器:TLP2768

保證在125度條件下運行的3.3V/5V驅動高速邏輯 IC 耦合器產品照片: TLP2768.

TLP2768 IC耦合器支持3.3 V和5V的電源,其工作溫度範圍很廣(-40°C 至 125°C)並採用 SDIP6 封裝。 (2011年03月31日)
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保證在125度條件下運行的3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器: TLP2466, TLP2160

保證在 125 度條件下運行的 3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器產品照片: TLP2466, TLP2160.

該3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器採用小型SO8封裝。TLP2466為1通道耦合器,TLP2160則在同一封裝裏內置了兩個電路,可有效減小需要多通道的裝置的尺寸並降低成本。 (2011年03月31日)
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保證在125度條件下運行的3.3V/5V驅動高速邏輯IC耦合器: TLP2368

保證在 125 度條件下運行的 3.3V/5V 驅動高速邏輯 IC 耦合器產品照片: TLP2368.

由於TLP2368是集電極開路輸出類型的高速IC邏輯耦合器,能夠以20Mbps的速度實現高速資料傳輸,適用於工廠自動化 (FA) 裝置的或數碼產品的高速通信介面,例如等離子顯示板 (PDP)。 (2011年03月18日)
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IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器: TLP352

IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器產品照片: TLP352.

TLP352是可直接驅動中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。 (2011年02月25日)
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高頻通過特性傑出的小型光繼電器: TLP3375, TLP3275

小型光繼電器產品照片: TLP3375, TLP3275.

TLP3375和TLP3275將重點放在高頻信號的通過特性上,等效上升時間(ERT)分別大幅改進至40 ps和60 ps。此外,TLP3375採用新開發的超小型USOP封裝,支援高密度封裝。 (2010年11月30日)
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高電流光繼電器TLP310x系列: TLP3102, TLP3103, TLP3105

高電流光繼電器TLP310x系列產品照片: TLP3102, TLP3103, TLP3105.

我們已經為各種應用場合中考慮使用光繼電器的客戶開發了TLP3102,、TLP3103和TLP3105。這些產品支援40到100V的關斷電壓以及1.4至2.5A的電流,並提供B型和C型連接。 (2010年11月29日)
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125攝氏度運行保證,3.3 V/5 V驅動高速邏輯IC耦合器:TLP2468、TLP2168

125攝氏度運行保證,3.3 V/5 V驅動高速邏輯IC耦合器產品照片: TLP2468, TLP2168.

TLP2168是能夠以20 Mbps的速度進行高速資料傳輸的集電極開路輸出高速IC邏輯耦合器,所以非常適用於工廠自動化(FA)設備或等離子顯示幕(PDP)等數碼家電的高速通信介面。此外,因為TLP2168是雙通道耦合器,所以其在減少需要多通道的設備數量以及降低成本方面非常有效。 (2010年11月29日)
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高光通量白色 LED(透明型): TL19W01系列

高光通量白色LED(透明型) 產品照片: TL19W01系列。

通過使用新的封裝設計,我們已開發出發光效率高的小封裝高光通量白色LED。由於廣泛的產品線範圍包括從高效高輸出型號至高顯色性型號,這些 LED 可用作各種照明應用的光源。 (2010年11月10日)
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IGBT/MOSFET柵極驅動器耦合器: TLP701A

IGBT/MOSFET柵極驅動器耦合器產品照片: TLP701A.

TLP701A是可直接驅動小容量IGBT和功率MOSFET的SDIP6封裝的IC耦合器。 (2010年10月28日)
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小型高速IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器: TLP155E

小型高速IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器產品照片: TLP155E.

TLP155E是一款SO6封裝IC耦合器,能夠直接驅動一個小容量IGBT或功率MOSFET。保證傳輸延時為200 ns(最大值),能夠通過高速脈寬調製(PWM)驅動IGBT/功率MOSFET。 (2010年10月15日)
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小型IC光電耦合器: TLP708

小型IC光電耦合器產品照片: TLP708.

我們已在SDIP6封裝中發佈一款新型 IC 光電耦合器,可在−40 至125°C之間的環境溫度運行。此外,雖然安裝面積約為 DIP8 封裝的一半,TLP708符合國際安全標準的強制絕緣等級。 (2010年08月06日)
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邏輯IC耦合器: TLP2118E

邏輯IC耦合器產品照片: TLP2118E.

TLP2118E是性能價格比高的緊密型高速邏輯IC耦合器,雖然其性能等級與 TLP2118的性能等級大致相同。由於TLP2118E 可執行15 Mbps的高速資料傳輸,它適用於工廠自動化(FA)裝置或數位家電(例如等離子顯示幕)(PDP) 的高速通信介面。 (2010年08月04日)
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SO8封裝光電耦合器系列的新增加型號: TLP2403, TLP2405, TLP2408, TLP2409

SO8封裝光電耦合器系列的新增加型號產品照片: TLP2403, TLP2405, TLP2408, TLP2409.

東芝SO8封裝應用配置現在擴展至總計 12 台產品,這些產品將根據我們的客戶應用支援多種需求和要求。 (2010年07月30日)
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低LED 觸發電流的光控繼電器: TLP173A

低LED觸發電流的光控繼電器產品照片: TLP173A.

新 TLP173A 的目標是成為機械繼電器的經濟節約的替代品。TLP173A 根據設計用於低壓和低電流應用並且由於光感受器的單片機集成,與機械繼電器相比在價格上或多或少更佔優勢。 (2010年07月30日)
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2.54SOP6封裝中的高ION光控繼電器: TLP310x系列

2.54SOP6封裝中的高ION光控繼電器產品照片: TLP310x系列。

通過使用U-MOS IV工藝技術,改善導通電流和關斷電壓之間的平衡特性。 (2010年07月27日)
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IGBT柵極驅動器光電耦合器: TLP351H, TLP701H

IGBT柵極驅動器光電耦合器產品照片: TLP351H, TLP701H。

為小功率IGBT和MOSFET 提供直接驅動,而且最高工作溫度可達到125℃。 (2010年07月27日)
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超小型光控繼電器: TLP3312

超小型光控繼電器產品照片: TLP3312.

適用於自動試驗設備(ATE)、或尺寸要求較高的電氣設備或電池操作應用。 (2010年07月27日)
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高速15Mbps邏輯柵極光電耦合器:TLP2418

高速15Mbps邏輯柵極光電耦合器產品照片: TLP2418。

隨著系統尺寸的進一步減小,封裝密度進一步升高,工業設備領域對功能器件的高溫操作需求越來越大。東芝新推出一系列採用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產品的工作溫度範圍較大: Topr = -40 °C至125°C。 (2010年07月13日)
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IPM(智慧功率模組)驅動光電耦合器:TLP2404

IPM(智慧功率模組)驅動光電耦合器產品照片: TLP2404.

隨著系統尺寸的進一步減小,封裝密度進一步升高,工業設備領域對功能器件的高溫操作需求越來越大。東芝新推出一系列採用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產品的工作溫度範圍較大: Topr = -40°C至125°C。 (2010年07月13日)
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IGBT / MOSFET柵極驅動光電耦合器: TLP2451

IGBT / MOSFET柵極驅動光電耦合器產品照片: TLP2451.

隨著系統尺寸的進一步減小,封裝密度進一步升高,工業設備領域對功能器件的高溫操作需求越來越大。東芝新推出一系列採用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產品的工作溫度範圍較大:Topr = -40°C至125°C。 (2010年07月13日)
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緊湊型高速邏輯IC耦合器:TLP118和TLP2118

緊湊型高速邏輯IC耦合器產品照片:TLP118和TLP2118.

TLP118是一款採用緊湊型SO6封裝的IC耦合器,能夠在125°C最高溫度下正常運行。憑藉20 Mbps超高的資料傳輸速度,TLP118適用於工廠自動化(FA)器件或等離子顯示板(PDP)等數碼產品的高速通信介面。 (2010年04月12日)
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帶有晶閘管輸出的光電耦合器: TLP148G, TLP548J, TLP549J

帶有晶閘管輸出的光電耦合器產品照片: TLP148G, TLP548J, TLP549J.

TLP148G、TLP548J和TLP549J是東芝光電耦合器家族的新成員,帶有晶閘管輸出,VDRM和封裝各不相同。TLP148G採用超小型扁平封裝,可大大節省空間。TLP548J採用DIP6封裝。TLP549J則採用7管腳式DIP8封裝,允許的傳導空間至少3毫米。這些器件適用於辦公設備、家用電器、固態繼電器等各種應用的交流負載控制。 (2010年03月26日)
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表貼式高亮度LED燈:TLxF1100C系列

表貼式高亮度LED燈產品圖片:TLxF1100C系列.

目前共有五種採用PLCC-2封裝的InGaN表貼式高亮度LED燈。 (2010年03月02日)
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