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IGBT柵極驅動器光電耦合器: TLP351H, TLP701H

為小功率 IGBT 和 MOSFET 提供直接驅動，而且最高工作溫度可達到125℃。

IGBT柵極驅動器光電耦合器產品照片: TLP351H, TLP701H。

近幾年，隨著工業用品和消費品中印刷電路板的組裝密度的增加，出現將機載半導體元件加熱到高溫的趨勢。對於這種半導體元件而言，意味著對於在工作溫度範圍內保證性能和高環境溫度下可靠性要求的提高。為應對這種要求，東芝開發出兩種光電耦合器，TLP351H 和 TLP701H。除能夠直接驅動類似的小功率 IGBT 和 MOSFET 外，這些新開發的光電耦合器保證它們當前產品 TLP351 和 TLP701 的最大工作溫度為從 100℃ 至 125℃。

TLP351H (DIP8封裝)
封裝在 DIP8 封裝中的 TLP351H 光電耦合器可直接驅動小功率 IGBT 和 MOSFET 的柵極。由於採用新開發的 LED，TLP351H 保證工作溫度範圍為 -40℃ 至 125℃。與其當前產品 TLP351 類似，TLP351H 使用 BiCMOS 工藝製造，因此需要不超過 2 mA 的電源電流，並具有在該行業中功率消耗最低的特點(注 1)。TLP351H 適用於始終在高溫條件下運行的家用器具和工業用途。
TLP701H (SDIP6 封裝)
封裝在 SDIP6 封裝中的 TLP701H 光電耦合器可直接驅動小功率 IGBT 和 MOSFET 的柵極。TLP701H 佔用 DIP8 封裝大約一半的封裝尺寸，並符合國際安全標準的強制絕緣要求(待 VDE 認證)。由於採用與 TLP351H 相同的 LED，TLP701H 同樣保證工作溫度範圍為 -40℃ 至 125℃。
  • 注 1：根據東芝公司於 2010 年 5 月執行的 IGBT/功率-MOSFET 門驅動器光電耦合器調查。

管腳配置

IGBT柵極驅動器光電耦合器管腳配置說明圖: TLP351H, TLP701H。

封裝尺寸

IGBT柵極驅動器光電耦合器封裝尺寸說明圖: TLP351H, TLP701H。

  • 注 2：長爬電距離和表面安裝選項可用于引線成形。關於細節，參見其相應的技術資料表。
  • 注 3：長爬電距離選項可用于引線成形。關於細節，參見其相應的技術資料表。

與現有產品的比較

參數 符號 當前器件 新器件 當前器件 新器件
TLP351 TLP351H TLP701 TLP701H
封裝 PKG DIP8 SDIP6
峰值輸出電流(最大值) IOPH / IOPL ±0.6 A (max)
工作溫度 Topr -40至100℃ -40至125℃ -40至100℃ -40至125℃
工作電壓範圍 Vcc 10至30 V
工作電流 Icc 2 mA (max)
傳播延遲時間 tpLH / tpHL 0.7 µs (max)
共模瞬態抑制 CMH / CML ±10 kV/µs (min) (Note 4) ±15 kV/µs (min) ±10 kV/µs (min) (Note 4) ±15 kV/µs (min)
隔離電壓(最小值)
 BVs 3750 Vrms (min) 5000 Vrms (min)
  • 注 4：將升級到±15 kV/µs (最小值)。

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