SLC NAND
作為快閃記憶體技術公認的先行者，東芝于1984年開發了NAND-類型快閃記憶體技術，在推廣其實際運用方面在世界領先。 東芝在高密度、先進工藝和大規模生產技術方面一直保持領先地位。 NAND快閃記憶體除了用於各種存儲卡,也被用於消費類及工業產品，其市場擴展迅速。 NAND快閃記憶體已經成為固態存儲應用的一個領先技術，是實際上的非易失性記憶體的標準記憶裝置。
SLC(單層式存儲)晶片可以高速讀寫大量資料，支援高寫入/刪除迴圈次數，和提供極佳的可靠性。
東芝開發了SLC裝置以滿足多種嵌入式應用，它的增強型高價值附加產品系列為需要高讀寫速度和良好可靠性的移動電話、平板電視、辦公室自動化設備、工業存儲和SSD/伺服器提供了支援。
SLC NAND陣容
特徵
- 全面的多密度系列:
512 Mb至16 Gb/晶片 - 先進NAND快閃記憶體工藝技術:
43 nm/32 nm工藝技術 - 電源：3.3 V/1.8 V產品系列
- 堆疊式晶片技術
多個封裝選擇TSOP/BGA/LGA - 簡易記憶體擴展可供NAND 標準介面和高性能觸發模式介面的產品
- 高性能/高可靠性和可持續性的長期支持
- 用戶支援
類比模型 (IBIS/Verilog)和驅動器支援
應用
