多晶片封裝記憶體
新型移動LBA-NAND快閃記憶體支援標準的與非快閃記憶體介面且包含一個邏輯塊位址存取(LBA)控制器，該快閃記憶體可實現的主要功能包括程式燒錄/擦除塊管理和錯誤代碼修正(ECC)。這些功能可以減少主機控制器的工作量。現已實現封裝在MCPs裏的高密度的移動LBA-NAND快閃記憶體。該新型記憶體既提供了單級單元又提供了多級單元的存儲區域，可使應用程式和資料存儲在同一晶片上。廠商不用分配SLC和MLC存儲區域，該種設計思想使他們減少了單個產品的晶片數量，節省空間。
特徵
- 可以和品種豐富的記憶體LSI全系列產品進行靈活多樣的搭配組合。
- 使用了最新的MCP堆疊技術，9層(包含內部晶圓間隔)堆疊的封裝厚度為1.4mm，並可實現封裝厚度為1.0mm的5層堆疊。
- 在同一記憶體晶片上，可以以任意容量設定適合於高速寫入讀取的雙值存儲區域以及提高每個器件的資料存儲量的多值存儲區域，例如每個記憶體陣列中存儲數碼照片、錄影和音樂檔。記憶體容量在2Gb、4Gb、8Gb各種新產品可以根據用途，設定到各記憶體容量的最大值，記憶體容量在16Gb、32Gb的各種新產品可以根據用途，最大設定到8Gb。
東芝MCP路標
