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新封裝CMOS比較器:TC75S56FC、TC75S58AFC、TC75S59AFC

東芝推出CST6C超小型新封裝的CMOS比較器TC75S56FC、TC75S58AFC和TC75S59AFC。這種封裝的底部採用金屬接點。CMOS比較器已廣泛用於手機、數位音頻播放器等應用領域。
與ESV封裝相比,CST6C封裝節省了33%的安裝面積。

特徵

封裝詳情和管腳配置

新封裝CMOS比較器封裝詳情和管腳配置說明圖:TC75S56FC、TC75S58AFC、TC75S59AFC.

主要特徵

工作範圍 (@Ta=25°C)
參數 符號 額定值 單位
電源電壓 VDD, VSS ±3.5或7.0 V
TC75S56FC關鍵參數(@VDD=3.0V,VSS=GND,Ta=25°C)
參數 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入偏移電壓 VIO - - ±1 ±7 mV
輸入偏置電流 ll - - 1 - pA
共模輸入電壓 CMVIN - 0 - 2.1 V
工作電流 IDD - - 10 20 μA
漏極電流 ISINK VOL=0.5V +6 +18 - mA
源極電流 ISOURCE VOH=2.5V -3 -15 - mA
輸出電壓 VOL ISINK=5.0mA - 0.15 0.35 V
VOH ISOURCE=5.0mA 2.65 2.85 -
傳輸延遲時間 Turn-on tpLH 超速傳動=100mV - 550 - ns
Turn-off tpHL 超速傳動=100mV - 250 - ns
回應時間 tTLH 超速傳動=100mV - 30 - ns
tTHL 超速傳動=100mV - 8 - ns
TC75S58AFC和TC75S59AFC關鍵參數(@VDD=3.0V,VSS=GND,Ta=25°C)
參數 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入偏移電壓 VIO - - ±1 ±7 mV
輸入偏置電流 ll - - 1 - pA
共模輸入電壓 CMVIN - 0 - 2.1 V
電源電流 IDD - TC75S58AFC - 10 20 μA
TC75S59AFC - 100 200
輸入偏移電壓 ISINK VOL=0.5V +6 +18 - mA
漏電流 ILEAK VDD=3V,VO=3V - 5 - nA
斷態漏電流 IOFF VDD=0V,VO=3V - 5 - nA
低輸出電壓 VOL ISINK=5.0mA - 0.15 0.35 V
傳輸延遲時間 Turn-on tpLH 超速傳動=100mV TC75S58AFC - 590 - ns
TC75S59AFC - 160 -
Turn-off tpHL 超速傳動=100mV TC75S58AFC - 230 - ns
TC75S59AFC - 70 -
回應時間 tTLH 超速傳動=100mV - 170 - ns
tTHL 超速傳動=100mV TC75S58AFC - 5 - ns
TC75S59AFC - 3 -

產品列表

CST6C封裝CMOS比較器的產品列表
零件型號 輸出配置
TC75S56FC 推挽式
TC75S58AFC 漏極開路式
TC75S59AFC

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