二極體 動態
關於二極體過去2年中的動態資訊。
- 低VF SBD (800毫安培或以上)的充電器電路: CUS08F30, CUS10F30, CVJ10F30
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我們已經開發出小信號中功率型肖特基二極體(SBD) (IO: 800毫安培或以上)， 可以支援移動設備中的充電電流的上升。 (2011年10月31日)
更多 » - 支援高速資料線的小型ESD保護二極體: DF4D6.8UG
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我們已經開發出支援雙高速資料傳輸線的小容量產品。該產品符合ESD保護目的，可用於對移動設備的微型USB2.0埠，以及射頻天線的低雜訊放大器(LNA)的保護。 (2011年10月28日)
更多 » - 帶有內置ESD保護二極體的EMI 篩檢程式件: DF8G6.8ENU, DF12H6.8ENU, DF16E6.8ENU
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我們已開發出濾波器，可以消除與視頻相關的(液晶顯示器、攝像機)模組上由數位電路或移動器件的載波信號造成的EMI噪音影響。 (2011年09月30日)
更多 » - 低VF 500mA肖特基勢壘二極體: CUS551V30, CBS05F30
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我們業已開發了小信號中功率型肖特基勢壘二極體(SBD)，應用於下一代工藝。 (2011年08月31日)
更多 » - CMZB系列小、中型表貼式齊納二極體: CMZB68到CMZB390
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本公司開發了採用薄型小尺寸M-FLATTM封裝的齊納二極體。這種二極體的功率損耗為1W，電壓範圍為68到390V。 我們在現有的17個產品系列(12到53V)上增加入了14個產品，現在一共有31個產品。這些產品取代即將退出市場的東芝U1ZB系列(I-FLAT封裝)。 (2011年02月16日)
更多 » - CUS、CRS和 CMS系列小型中型SBD: CUS10I40A、CRS10I40A和CMS10I40A等
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我們開發了運用下一代工藝的小型和中型肖特基勢壘二極體(SBD)。 在現有的6個產品的產品系列中，我們又增加了17個產品，現在共有23個產品。 (2011年01月27日)
更多 » - 低VF中功率SBD: CUS05F30, CBS05F30, CUS08F30, CUS10F30
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我們已經開發了運用下一代工藝的小型信號肖特基勢壘二極體. (2011年01月06日)
更多 » - 小信號SBD CxS520和CxS521系列: CES520/521, CTS520/521, CUS520/521
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本公司已成功開發出採用下一代工藝的小信號肖特基勢壘二極體(SBD) 。該系列有低正向電壓(低 VF) 和低漏電流(低 IR) 兩種產品組成，並已針對每款產品開發出三種封裝。這些產品適用於手機和其他應用中有節電要求的電池傳動設備，可替代競爭對手的產品。 (2010年08月20日)
更多 » - 新一系列的肖特基壘式二極體(SBD)
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新一系列的肖特基壘式二極體（SBD）是一個30伏耐壓的產品系列，比起之前的產品，其VFM - IRRM平衡所有改善。 (2010年07月12日)
更多 » - ESD保護用雙向二極體: DF2B6.8系列
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我們向ESD保護二極體系列裏加入了雙向產品。既有常規尺寸封裝，也有超小型封裝，以滿足各種應用需求。 (2010年07月12日)
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