ESD/EMI保護二極體: DF3S6.8ECT
除了半導體器件所需的主要性能以外，這個系列的保護二極體還必須能夠應對一些其他的問題，例如防(靜電)干擾和防EMI(電磁)干擾以滿足半導體在性能以及電子設備運行速度方面的發展。為了滿足這些需求，東芝推出了一款具有EMI(電磁干擾)過濾和ESD防護功能的二極體。DF3S6.8ECT可為手機、掌上電腦(PDA)、筆記本電腦、移動設備、數碼相機、GPS裝置等數位設備提供EMI和ESD保護功能。DF3S6.8ECT不會導致信號失真，因此適用於高速數位電路和高頻電路之類的應用情況。
特徵
- 封裝小而薄
: CST3 (1.0 × 0.6 × 0.38毫米, 3管腳) - 高抗ESD干擾度
: ± 8 kV (最小值) @ IEC61000-4-2 (接觸放電) - 衰減率高
: -20 dB @ 0.8至2.0 GHz
應用實例
封裝詳情
主要特性
| 特性 | 標準/測試條件 |
|---|---|
| 限幅電壓 | 6.8V(典型值)@IR=5mA |
| 反向電流 | 0.5μA(最大值)@VR=5V |
| 抗ESD干擾電平 | ≥±8kV@IEC61000-4-2(接觸放電) |
| 濾波帶寬 | 0.8至2.0GHz @-20dB |
- 濾波性能
