低VF 和低IR SBD
- 改進後的VF-IR交換
- 對於肖特基勢壘二極體(SBD)而言, 理想的反向電流(IR)和正向電壓(VF)較低。但是，這兩者之間存在交換關係。
東芝新開發的SBD其交換性能有所改進。與正向電壓相同的其他先前產品相比，這些新型SBD的反向洩漏電流只是先前產品的三分之一左右。
這些SBD是手機、數碼相機等節能要求較高的電池供電設備的理想選擇。
特徵
- 正向電壓和反向洩漏電流均較低
- 小封裝:
USC (2.5 × 1.25 × 0.9 毫米, 2管腳), CST2B (1.2 × 0.8 × 0.38毫米, 2管腳), CST2C (1.6 × 0.8 × 0.48毫米, 2管腳)
封裝詳情
內部配置
應用電路實例
主要特性
低VF SBD和低IR SBD主要特性表
| |
部件型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
| VR(V) |
IO(A) |
VF(V) |
IR(µA) |
CT(pF) |
| 最大值 |
@IF(A) |
最大值 |
@VR(V) |
標準值 |
@VR(V) |
| 低 VF |
DSF05S30U |
USC |
30 |
0.5 |
0.45 |
0.5 |
50 |
30 |
120 |
0 |
| DSF05S30CTB |
CST2B |
| DSF07S30U |
USC |
30 |
0.7 |
0.45 |
0.7 |
50 |
30 |
170 |
0 |
| DSF07S30CTC |
CST2C |
| 低 IR |
DSR05S30U |
USC |
30 |
0.5 |
0.55 |
0.5 |
5 |
30 |
120 |
0 |
| DSR05S30CTB |
CST2B |
| DSR07S30U |
USC |
30 |
0.7 |
0.55 |
0.7 |
5 |
30 |
160 |
0 |
| DSR07S30CTC |
CST2C |
155 |
