東芝半導體與存儲器社

東芝半導體與存儲器社

新產品

N溝道低導通電阻(20V產品): TPCC8093, TPCP8206
2011年11月28日
20V產品是低導通電阻、N溝道MOSFET系列產品中的新成員,新產品中採用的第七代工藝流程,適用於移動電話的電源管理開關和鋰離子電池保護電路。
N溝道低導通電阻MOSFET系列(20V產品)封裝照片: TPCC8093, TPCP8206.
DIP4加強絕緣光控繼電器TLP220系列: TLP220A, TLP220D, TLP220G, TLP220GA, TLP220J
2011年11月17日
TLP220系統的產品具有加強絕緣性能,使用雙模DIP4,能確保輸入端和輸出端的絕緣電壓為5,000 Vrms (AC, 1分鐘).
DIP4加強絕緣光控繼電器 TLP220系列封裝照片.
低VF SBD (800毫安培或以上)的充電器電路: CUS08F30, CUS10F30, CVJ10F30
2011年10月31日
我們已經開發出小信號中功率型肖特基二極體(SBD) (IO: 800毫安培或以上), 可以支援移動設備中的充電電流的上升。
低VF SBD的充電器電路封裝照片: CUS08F30, CUS10F30, CVJ10F30.
針對無線電力傳輸應用的分立元件: MOSFET / SBD
2011年10月31日
我們已經開發了針對無線電力傳輸應用的分立元件。
針對無線電力傳輸應用的分立元件封裝照片: MOSFET / SBD.
用於電源管理的低導通電阻P溝道MOSFET: SSM6J414TU
2011年10月31日
該產品採用最新的UMOS VI工藝,適用於數位家電和辦公自動化(OA)設備的移動裝置和負荷開關的充電及放電開關,它一般以2.1mm × 2.0mm × 0.7mm (UF6)的封裝進行安裝。該產品與我們目前通用的SSM6J409TU型號產品相比,其導通電阻特性有所提高。
用於電源管理的低導通電阻P溝道MOSFET封裝照片: SSM6J414TU.