新聞/動態
以下是關於東芝半導體公司的新聞及動態。
關於2005年以前的新聞，請參閱"東芝集團新聞"。
2010
- 東芝與AIST共同開發掩模圖案優化技術, 從而延長光刻技術的壽命 (2010年02月15日)
- 東芝與南通富士通攜手打造半導體後道合資事業的公司概要 (2010年02月10日)
- 東芝開發SRAM電路技術從而保證系統LSI的低壓運轉 (2010年02月08日)
- 東芝加強記憶體件後道工程部門的開發能力 (2010年02月03日)
- 東芝擴大32納米MLC SSD的陣容 (2010年01月07日)
2009
- 東芝推出最高容量(1)的嵌入式NAND快閃記憶體模組 (2009年12月15日)
- 東芝SSD專題網站已發佈. (2009年12月11日)
- 東芝公司研製出用於20納米大型積體電路的高性能CMOS設備技術 (2009年12月09日)
- 東芝公司研製出自旋電子MOS場效應電晶體基本技術 (2009年12月08日)
- 東芝與南通富士通攜手打造半導體後工序合資事業 (2009年11月20日)
- 射頻器件替代品查找. (2009年10月29日)
- 東芝推出配備BSI的高靈敏度CMOS圖像感測器 (2009年10月27日)
- 仲谷、安靠和東芝就半導體後道工程的合資事宜簽訂最終協定 (2009年10月23日)
- 電晶體陣列替代品查找. (2009年10月08日)
- 東芝推出32nm mSATA和half-slim超小型固態硬碟模組 (2009年09月27日)
- 仲谷、安靠和東芝繼續系統LSI合資方面的商議 (2009年09月16日)
- CMOS邏輯IC替代品查找. (2009年09月14日)
- 二極體替代品查找. (2009年08月19日)
- MOSFET替代品查找. (2009年08月19日)
- 綜合目錄(2009-08) 已更新。 (2009年08月19日)
- 東芝推出全球首張SDXC存儲卡 (2009年08月14日)
- 光電半導體器件:替代品查找. (2009年07月20日)
- NEC電子和東芝延長與IBM之間的晶片技術開發協定 (2009年07月20日)
- 東芝開發了一種專用於LSI的新型高k/Ge柵極堆疊技術,節點至少為16納米(nm) (2009年07月20日)
- 東芝、仲谷和安靠就建立一家LSI系統裝配和測試服務合資公司的事宜簽訂一份諒解備忘錄 (2009年04月28日)
- 東芝推出世界上第一款32nm處理NAND快閃記憶體 (2009年04月27日)
- 東芝於2009財年第一季度(2009年4月至6月)不斷調整半導體的生產 (2009年04月24日)
- 東芝採用每單元3位元的納米和4位的43納米技術在NAND快閃記憶體領域中處於領先地位 (2009年02月11日)
- 東芝成功開發世界上最高帶寬, 最高密度的非易失性RAM (2009年02月09日)
2008
- 東芝建立40納米CMOS工藝專用的新平臺技術 (2008年12月18日)
- 東芝利用先進的單曝光石印術開發低成本的32納米CMOS平臺技術 (2008年12月18日)
- 東芝推出行業內第一款512GB固態驅動和下一代的SSD家族使用43nm的MLC NAND快閃記憶體 (2008年12月18日)
- 東芝、IBM和AMD開發世界上最小的帶有高介電率(high-k)/金屬柵的FinFET SRAM元件 (2008年12月17日)
- 東芝調整四日市工廠NAND快閃記憶體產量 (2008年12月16日)
- 東芝推出行業中最大16GB microSDHC (2008年11月26日)
- 東芝推出43nm的SLC NAND快閃記憶體--引進行業內最高密度的SLC NAND16Gb晶片和改進的SLC產品 (2008年10月28日)
- 東芝和Sandisk重新分配NAND快閃記憶體合資的各自產量 (2008年10月20日)
- 東芝發行256GBMLC固態驅動器 (2008年09月26日)
- 東芝推出配備MLC的256GB固態驅動器--同時也為強化加入了小型快閃記憶體模組 (2008年09月26日)
- 東芝推出行業內最大容量的嵌入式NAND快閃記憶體--同時也為強化加入了小型快閃記憶體模組 (2008年08月07日)
- 不用機頂盒，普通CRT電視機一樣看數位電視--東芝電子攜手淩訊科技推出CRT數位電視一體機解決方案 (2008年07月31日)
- 東芝通過螺旋狀直接矽接合技術實現下一代CMOS技術用更高的孔穴活動性 (2008年06月20日)
- 東芝新成功研發升壓門密度的設計佈局用可變性認知建模 (2008年06月19日)
- 東芝重新配置四日市工廠內的200mm晶圓生產流水線 (2008年06月16日)
- 東芝開發降低成本的MEMS封裝技術 (2008年05月30日)
- 東芝、索尼和SCEI就高性能半導體製造初步確立新的合資公司 (2008年02月20日)
- 東芝推進Fab產量 (2008年02月19日)
- 東芝和SanDisk在日本採用最新先進的Fab設備結構擴大NAND快閃記憶體產品 (2008年02月19日)
- 東芝採用43納米CMOS制程技術開發16GbNAND快閃記憶體 (2008年02月07日)
- 東芝宣佈成功研製世界上最高性能的物理亂數發生器電路 (2008年02月07日)
- 東芝成功研發世界上最快的嵌入式DRAM技術 (2008年02月06日)
2007
- 夏普和東芝形成LCD和半導體商務領域的聯盟 (2007年12月21日)
- 東芝和IBM擴大半導體研發合作 (2007年12月18日)
- 東芝開發32納米代及更高代系統LSI的潛力技術 (2007年12月13日)
- 東芝成功開發世界上最小的10納米代快閃記憶體元件的基本技術 (2007年12月12日)
- 東芝發售帶有MLC器件的高性能固態驅動器(SSD) (2007年12月10日)
- 三星和東芝共有高級NAND快閃記憶體規格，增加供應商和採購方的靈活性 (2007年12月03日)
- 東芝和NEC電子宣佈共同開發32納米系統LSI制程技術 (2007年11月27日)
- 東芝開發對應GB容量級新的MRAM設備 (2007年11月06日)
- 東芝、索尼和SCEI就共同投資加強高性能半導體產品製造能力達成共識 (2007年10月18日)
- 東芝和加賀東芝將新建造200毫米晶片加工廠 (2007年10月15日)
- 東芝為提高競爭力開發攝像感測器為移動電話內部製造CMOS 照相機模組 (2007年10月01日)
- 東芝和SanDisk用於生產NAND快閃記憶體的300mm 晶圓的第4棟新廠房的開幕典禮在四日市工廠舉行 (2007年09月04日)
- 東芝增加新的高密度SDHC 卡和microSDHC 卡來擴充存儲卡產品陣容 (2007年08月22日)
- 東芝為移動電話投放世界最高性能3D Graphics LSI (2007年07月17日)
- 東芝增加4GB microSDHC to Extensive Memory Card Line-up (2007年06月27日)
- 東芝新的存儲晶片支援移動電話SLC 和MLC 記憶體 (2007年06月21日)
- 東芝開發60GHz 接收器技術使用CMOS 設備 (2007年06月15日)
- 東芝開發新的NAND Flash技術 (2007年06月12日)
- 量子密碼安全插入窺孔 (2007年06月05日)
東芝研究歐洲有限公司開發了兩種新技術來實現無條件地安全量子密鑰分配(QKD)。為了做到這點，東芝已克服了當前商業QKD系統裏的一個潛在的安全窺孔。 - 新化學再使用環境意識半導體脫膠技術開發 (2007年06月05日)
東芝公司、芝浦先進科技股份有限公司和氯工程公司使用電解硫磺酸聯合開發了一項創新性的半導體脫膠技術。 - 東芝推出面向可擕式產品的業內最高容量的嵌入式NAND快閃記憶體 (2007年04月17日)
- 關於面向最先進LSI的雜質分析新技術 (2007年04月16日)
- 東芝、索尼和NEC電子三家公司發佈下一代45nm高性能系統LSI大規模生產平臺技術 (2007年01月30日)
東芝、索尼和NEC電子三家公司發佈下一代45nm高性能系統LSI大規模生產平臺技術。 - 東芝推出採用56nm，16GB NAND快閃記憶體 (2007年01月24日)
- 東芝SD存儲卡系列產品家族再次擴充 (2007年01月05日)
2006
- 東芝、索尼和NEC電子公司揭開了用於45nm代高性能系統LSI的大規模生產平臺技術。 (2006年12月14日)
- 面向1.9GHz到2.5GHz無線應用的SiGe功率放大器：TA4401CT (2006年11月26日)
- 東芝推出全球最高級別SDHC存儲卡 (2006年11月20日)
- 東芝和Micron同意解決所有懸而未決的訴訟 (2006年09月15日)
- 關於USB快閃記憶體產品的陣容擴充 (2006年08月29日)
- 「超高速系列」「高速系列」SD存儲卡新上市 (2006年08月24日)
- 東芝和SanDisk在四日市啟動與非型快閃記憶體的300毫米晶片加工廠的建造 (2006年08月04日)
- 採用邏輯位址訪問方式的NAND型快閃記憶體解決型產品的開發 (2006年08月02日)
- 東芝在法律訴訟中達成對員工發明權賠償的協定 (2006年07月27日)
- 加賀東芝將新建造200毫米晶片加工廠 (2006年07月07日)
- SD存儲卡新系列上市 (2006年06月28日)
- 東芝新的多晶片封裝集成了百萬位元組級NAND快閃記憶體和SD控制器 (2006年06月14日)
- 2GB miniSD存儲卡全球上市 (2006年05月24日)
- NEC電子株式會社、索尼株式會社、株式會社東芝關於共同開發45納米的系統LSI工藝技術 (2006年04月05日)
- IBM、索尼和東芝成功的發展成了半導體技術的聯盟 (2006年03月06日)
- 東芝發佈了新開發的基於第三代移動通信掌上型應用MDDI技術的VGA液晶顯示控制器 (2006年02月13日)
- 株式會社東芝和日本電氣株式會社開發世界最快、最高密度的MRAM (2006年02月07日)
- 株式會社東芝開發世界最快、最大容量的FeRAM (2006年02月07日)
- Xilinx和東芝就共同開發65nm的FPGA達成共識，並討論委託生產事宜 (2006年02月03日)
- 東芝和NEC電子合作開發45納米系統LSI制程技術 (2006年01月24日)
- R-CUBE項目 (2006年01月13日)