東芝推出43nm的SLC NAND快閃記憶體--引進行業內最高密度的SLC NAND16Gb晶片和改進的SLC產品
(2008年10月29日)東芝今天宣佈推出43nm單層存儲單元(SLC)的NAND快閃記憶體，產品容量從512Mb到64Gb，共有16種系列。新產品包括16Gb、32Gb和64Gb三種，結合採用43nm制程技術的單16Gb晶片，這是市場上最高密度的晶片。新產品將從2009年第1季度開始逐步進入市場。
SLC晶片讀寫次數多，且讀寫速度快，可靠性高。東芝開發新型SLC產品是為了滿足不斷變化的市場應用需求，改進型產品系列可以滿足需要高讀寫速度與可靠性的移動電話、平板電視、辦公自動化設備和伺服器等的需求。
近年來，東芝公司通過加速用於記憶卡和MP3播放器等市場的大容量資料存儲的高密度多層存儲單元(MLC)晶片的開發，推動了NAND快閃記憶體市場的發展。採用56nm和70nm制程技術的SLC晶片生產受到限制。東芝將通過採用更大範圍的適合高水準資料存儲的SLC快閃記憶體系列，不斷擴大其滿足不同嵌入式應用需求的高增值產品，通過先進制程技術的應用，推進量產。
新產品的概要
| 部件型號 | 容量 | 封裝 | 頁面尺寸 | 量產時間 |
| TH58NVG6S2EBA20 | 64Gb | BGA | 大塊 | 2009年第1季度 |
| TH58NVG5S2EBA20 | 32Gb | BGA | 2009年第1季度 | |
| TC58NVG4S2EBA00 | 16Gb | BGA | 2009年第1季度 | |
| TC58NVG3S2ETA00 | 8Gb | TSOP I | 2009年第2季度 | |
| TC58NVG2S3ETA00 | 4Gb | TSOP I | 2009年第2季度 | |
| TC58NVG2S3EBAJX | BGA | 2009年第2季度 | ||
| TC58NVG1S3ETA00 | 2Gb | TSOP I | 2009年第1季度 | |
| TC58NVG1S3EBAJX | BGA | 2009年第2季度 | ||
| TC58NVG0S3ETA00 | 1Gb | TSOP I | 大塊 | 2009年第2季度 |
| TC58NVG0S3EBAJ5 | BGA | |||
| TC58DVG02A5TA00 | TSOP I | 小塊 | 2009年第3季度 | |
| TC58DVG02A5BAJ5 | BGA | |||
| TC58NVM9S3ETA00 | 512Mb | TSOP I | 大塊 | 2009年第2季度 |
| TC58NVM9S3EBAJW | BGA | |||
| TC58DVM92A5TA00 | TSOP I | 小塊 | 2009年第3季度 | |
| TC58DVM92A5BAJW | BGA |
新產品主要特徵
- 運用領先的43nm制程技術和增加資料存儲的先進技術，將每塊晶片的容量提升到了以往56nm的SLC產品的2倍從而為需要更高性能和可靠性的設備提供服務。
- 與MCL NAND快閃記憶體相比，新產品的寫入速度約為2.5倍*。
*16Gb的MLC和SLC產品比較。
注：8位元=1位元組
(16GB產品)
| 部件型號 | TC58NVG4S2EBA00 |
| 容量 | 16Gb |
| 電源電壓 | 3.3V |
| 程式時間 | 400微秒/頁(Typ.) |
| 刪除時間 | 4毫秒/塊(Typ.) |
| 連接時間 | 40微秒(1st) 25納秒(串列) |
| 外形尺寸 | 14mm x 18mm |