東芝推出行業內最大容量的嵌入式NAND快閃記憶體--同時也為強化加入了小型快閃記憶體模組
(2008年8月7日)東芝今天宣佈推出多款最大容量為32GB的嵌入式NAND快閃記憶體模組，並宣佈這些產品完全符合e-MMC（1）和eSD（2）標準。這些嵌入式產品用於移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機。樣品將於2008年9月出廠，從第四季度開始量產。
該款32GB嵌入式新產品採用東芝先進的43nm制程技術，收納了8枚32Gbit(=4GB)的NAND晶片和一個專用控制器。新產品完全符合JEDEC/MMCA Ver 4.3（3）和SDA Ver 2.0（4）標準以及MultiMediaCard Association(多媒體卡協會)和SD Card Association(SD卡協會)專為記憶卡定義的高速記憶體標準，支援標準介面連接和簡化嵌入，從而減小產品製造商的開發負擔。
東芝提供一系列單封裝嵌入式NAND快閃記憶體，這些快閃記憶體產品都包括一個控制器，可用于管理NAND應用的基本控制功能：配備一個NAND介面的LBA-NAND（5）記憶體；帶有SD介面的eSD大容量晶片；以及配備一個HS-MMC介面的e-MMC。這個綜合產品系列的容量從1GB到32GB不等，支援在各種產品中的應用。
隨著帶有降低開發要求、便於系統設計集成的控制器功能的記憶體需求不斷擴大，東芝已經採取行動，在這個不斷擴大的市場上佔領領先地位，同時加入更大容量的模組，這將有助於鞏固公司的地位。
(1)e-MMC是MultiMediaCard Association(多媒體卡協會)的注冊商標
(2)eSD是SD Association(SD卡協會)的注冊商標
(3)JEDEC/MMCA Ver. 4.3：JEDEC/MMCA(MultiMediaCard Association)規定的存儲卡標準規格之一
(4)SDA Ver. 2.0：SDA(SD卡協會)規定的存儲卡標準規格之一
(5)LBA-NAND為東芝集團的注冊商標
新產品的概要
e-MMC
| 部件型號 | 容量 | 封裝 | 樣品出貨 | 量產時間 | 量產規模 |
| THGBM1G8D8EBAI2 | 32GB | 169Ball FBGA 14x18x1.4mm |
2008年10月 | 2008第4季度 (10月～12月) |
總體 100萬個/月 |
| THGBM1G7D8EBAI0 | 16GB | 169Ball FBGA 12x18x1.4mm |
2008年9月 | 2008年第4季度 (10月～12月) |
|
| THGBM1G7D4EBAI2 | 16GB | 169Ball FBGA 14x18x1.4mm |
2008年第4季度 (10月～12月) |
2008年第4季度 | |
| THGBM1G6D4EBAI4 | 8GB | 169Ball FBGA 12x18x1.3mm |
2008年9月 | 2008第4季度 (10月～12月) |
|
| THGBM1G5D2EBAI7 | 4GB | 169Ball FBGA 12x16x1.3mm |
2008年10月 | 2008第4季度 (10月～12月) |
|
| THGBM1G4D1EBAI7 | 2GB | 169Ball FBGA 12x16x1.3mm |
2008年第四季度 (10月～12月) |
2009年第1季度 (1月～3月) |
|
| THGBM1G3D1EBAI8 | 1GB | 153Ball FBGA 11.5x13x1.2mm |
2008第4季度 (10月～12月) |
2009年第1季度 (1月～3月) |
eSD
| 部件型號 | 容量 | 封裝 | 樣品出貨 | 量產時間 | 量產規模 |
| THGVS4G8D8EBAI2 | 32GB | 169Ball FBGA 14x18x1.4mm |
2008年9月 | 2008第4季度 (10月～12月) |
總體 50萬個/月 |
| THGVS4G7D8EBAI0 | 16GB | 169Ball FBGA 12x18x1.4mm |
2008年9月 | 2008年第4季度 (10月～12月) |
|
| THGVS4G7D4EBAI2 | 16GB | 169Ball FBGA 14x18x1.4mm |
2008年第4季度 (10月～12月) |
2008年第4季度 | |
| THGVS4G6D4EBAI4 | 8GB | 169Ball FBGA 12x18x1.3mm |
2008年9月 | 2008第4季度 (10月～12月) |
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| THGVS4G5D2EBAI4 | 4GB | 169Ball FBGA 12x18x1.3mm |
2008年10月 | 2008第4季度 (10月～12月) |
|
| THGVS4G4D1EBAI4 | 2GB | 169Ball FBGA 12x18x1.3mm |
2008年第4季度 (10月～12月) |
2009年第1季度 (1月～3月) |
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| THGVS4G3D1EBAI8 | 1GB | 153Ball FBGA 11.5x13x1.2mm |
2009第1季度 (10月～3月) |
2009年第1季度 (1月～3月) |
新產品的主要特徵
- 內置以JEDEC/MMCA Ver 4.3和SDA Ver 2.0規定為標準的控制器，包括用於處理寫入塊管理、錯誤修正(ECC)和驅動器軟體等基本功能。這個控制器使系統開發得到簡化，從而使製造商可將開發成本降到最低，同時善用時間為新產品和升級產品開拓市場。
- 擁有從1GB到32GB的多種產品。最大容量的32GB嵌入式產品以128Kbps的位元速率可以記錄大約560小時的音樂資料，4小時的全高清視頻（6）以及7.3小時的標清視頻資料。
(6)高清和標清分別表示在17Mbps和9Mbps的位元速率下計算。 - 採用先進的43nm制程技術，在32GB產品中堆疊8層32Gbit(=4GB)的晶片。
新產品的主要規格
e-MMC
| 介面 | 以JEDEC/MMC Ver. 4.3規定為標準的HS-MMC介面 |
| 電源電壓 | 2.7～3.6V(記憶體內核)/1.7V～1.95V(介面) |
| 匯流排寬度 | x1/x4/x8 |
| 寫入速度 | 目標10 MB/秒(時序模式) 目標18 MB/秒(時序/交叉模式)(7) |
| 讀取速度 | 目標20 MB/秒(時序模式) |
| 工作溫度 | -25℃～+85℃ |
| 封裝 | 153Ball FBGA(+16支持Ball) |
(7)僅用於THGBM1G8D8EBAI2和THGBM1G7D4EBAI2
eSD
| 介面 | 以SDA Ver 2.0規定為標準的SD介面 |
| 電源電壓 | 2.7-3.6V |
| 匯流排寬度 | x1/x4 |
| 寫入速度 | SDA標準4級 |
| 讀取速度 | SDA標準4級 |
| 工作溫度 | -25℃～+85℃ |
| 封裝 | 153Ball FBGA(+16支持Ball) |