6.5代RC-IGBT系列: GT50MR21, GT50NR21, GT40QR21, GT40WR21

2012年04月19日

第6.5代RC-IGBT系列的產品，是將IGBT與二極體集成至了一個晶片中，而不是傳統模型配置中所用的兩個晶片，這種配置使得該產品非常環保，而且能減少反嚮導通二極體的熱阻。

車載PS-8封裝N通道功率 MOSFET: TPCP8009, TPCP8010, TPCP8011, TPCP8207

2012年04月19日

車載功率MOSFET的產品陣容中，我們添加了四個全新的小封裝模組(PS-8)。

採用了半間距封裝的單通道輕薄通用電晶體耦合器: TLP290, TLP291

2012年04月17日

TLP290和TLP291是採用了SO4封裝的單通道輸出電晶體耦合器，具有高絕緣電壓(3750 Vrms)及能確保在高溫(Ta = 110 deg C最大值)下操作的特點。

具有高達125攝氏度高溫操作保證的IPM(智慧功率模組)驅動IC光電耦合器: TLP754

2012年04月17日

東芝推出了一個全新的採用DIP8封裝的IPM驅動IC光電耦合器，其工作溫度範圍非常廣泛: Topr = −40 deg C至125 deg C (TLP759 (IGM): Topr: 100 deg C最大值)。

N溝道半功率: SSM3K335R

2012年03月29日

我們推出了安裝在 SOT-23F 封裝上的4.5 V 驅動N溝道MOSFET。此款N溝道 MOSFET採用最新工藝, 適用於直流-直流轉換器，比現在流行的 SSM3K14T 具有更快的開關功能。