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環保活動
6.5代RC-IGBT系列: GT50MR21, GT50NR21, GT40QR21, GT40WR21
2012年04月19日
第6.5代RC-IGBT系列的產品,是將IGBT與二極體集成至了一個晶片中,而不是傳統模型配置中所用的兩個晶片,這種配置使得該產品非常環保,而且能減少反嚮導通二極體的熱阻。
車載PS-8封裝N通道功率 MOSFET: TPCP8009, TPCP8010, TPCP8011, TPCP8207
2012年04月19日
車載功率MOSFET的產品陣容中,我們添加了四個全新的小封裝模組(PS-8)。
採用了半間距封裝的單通道輕薄通用電晶體耦合器: TLP290, TLP291
2012年04月17日
TLP290和TLP291是採用了SO4封裝的單通道輸出電晶體耦合器,具有高絕緣電壓(3750 Vrms)及能確保在高溫(Ta = 110 deg C最大值)下操作的特點。
具有高達125攝氏度高溫操作保證的IPM(智慧功率模組)驅動IC光電耦合器: TLP754
2012年04月17日
東芝推出了一個全新的採用DIP8封裝的IPM驅動IC光電耦合器,其工作溫度範圍非常廣泛: Topr = −40 deg C至125 deg C (TLP759 (IGM): Topr: 100 deg C最大值)。
N溝道半功率: SSM3K335R
2012年03月29日
我們推出了安裝在 SOT-23F 封裝上的4.5 V 驅動N溝道MOSFET。此款N溝道 MOSFET採用最新工藝, 適用於直流-直流轉換器,比現在流行的 SSM3K14T 具有更快的開關功能。
2012年03月14日
東芝推出世界上速率最快的SDHC存儲卡
2012年02月23日
東芝公司開發生產出了世界上密度最大、範本尺寸最小的新一代19納米的NAND快閃記憶體
2012年02月01日
泰國水災的影響:各種分離式元件產品生產線復工狀況(後續回報)
2012年01月25日
電機驅動器替代品查找功能已發佈。
2012年01月17日
東芝NAND快閃記憶體介紹片發佈。
2012年01月10日
東芝公司推出符合超高速USB 3.0標準的USB快閃記憶體盤
2012年01月06日
東芝推出嵌入ECC處理能力的SLC NAND快閃記憶體
2011年12月20日
松下、三星、閃迪、索尼和東芝共同開發下一代安全記憶體解決方案
2011年04月18日
東日本地震的影響